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1. 晶振與晶體的區(qū)別2. MEMS石英晶振區(qū)別硅晶振與3. 晶體諧振器的等效電路4. 關(guān)鍵參數(shù)5. 晶體振蕩器的分類

靜電放電（ESD）會產(chǎn)生靜電場效應(yīng)，電荷注入效應(yīng)和靜電放電電流產(chǎn)生的場效應(yīng)，這在第四章已論述過。正確地布置系統(tǒng)電纜和進行屏蔽設(shè)計可有助于解決這三種效應(yīng)帶來的問題。本章中將討論如何處理系統(tǒng)電纜來解決靜電放電問題。

iNARTE為世界公認的一流獨立認證機構(gòu)，專門為電信、電磁兼容性、產(chǎn)品安全和相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的專業(yè)技術(shù)人員提供卓越管理標準。

表面阻值和相對濕度 按照ANSI/ESD S541-2003標準（ESD包裝及材料標準），表面阻值率大于1011歐姆的材料屬于絕緣材料。絕緣材料由于不導(dǎo)電，附帶的靜電荷可能在材料表面保持幾秒鐘或者更長的時間。表面阻值的降低或升高往往與相對濕度有關(guān)。材料1011歐姆阻值時的相對濕度

近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，繼續(xù)減小線寬的投入與其回報相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計將在2017年Q3亮相，這個時間點明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片，如SoC(systemon chip)的設(shè)計與流片成本過高，使得近些年SiP(System in Package